Описание, применение GW60V60DF USA / EUROPE
Транзистор GW60V60DF (STGW60V60DF) представляет собой IGBT шестого поколения, выполненный по технологии trench gate field-stop. Это устройство специально оптимизировано для работы на сверхвысоких частотах переключения – до сотен килогерц. Встроенный антипараллельный диод с ультрабыстрым мягким восстановлением устраняет необходимость во внешнем диодном модуле.
Почему инженеры выбирают этот транзистор
- Рекордно низкое напряжение насыщения. Типовое значение VCE(sat) составляет всего 1,85 вольта при токе 60 ампер. Это означает минимальные потери проводимости и более высокий КПД конечного устройства – особенно важно для инверторов и источников бесперебойного питания.
- Уникальный алгоритм выключения «без хвоста». Технология tail-less switching off практически устраняет «хвостовой» ток при выключении. Это резко снижает динамические потери и позволяет работать на частотах, недоступных для обычных IGBT.
- Надёжное параллельное соединение. Благодаря положительному температурному коэффициенту напряжения насыщения и очень узкому разбросу параметров от экземпляра к экземпляру, несколько транзисторов можно включать параллельно без риска теплового разбаланса.
- Высокая термостойкость. Максимальная температура достигает 175 градусов Цельсия. Это даёт запас по температуре в тяжёлых режимах и упрощает тепловой расчёт радиатора.
Основные технические параметры
|
Характеристика |
Значение |
|
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |
600 В |
|
Постоянный ток коллектора (100 °C) |
60 А |
|
Постоянный ток коллектора (25 °C) |
80 А |
|
Импульсный ток коллектора |
240 А |
|
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 В |
|
Рассеиваемая мощность (25 °C) |
375 Вт |
|
Температура кристалла |
от -55 до +175 °C |
|
Напряжение насыщения (тип., 60 А, 25 °C) |
1,85 В |
|
Входная ёмкость (тип.) |
8000 пФ |
|
Общий заряд затвора (тип.) |
334 нКл |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) |
0,4 °C/Вт |
|
Корпус |
TO-247 или TO-247 long leads |
|
Упаковка |
Трубка (tube) |
Динамические характеристики (наихудший режим, 175 °C)
|
Параметр |
Типовое значение |
|
Задержка включения |
57 нс |
|
Время нарастания тока |
23 нс |
|
Задержка выключения |
216 нс |
|
Время спада тока |
27 нс |
|
Энергия включения (Eon) |
1,5 мДж |
|
Энергия выключения (Eoff) |
0,8 мДж |
Параметры встроенного диода (при 175 °C)
|
Параметр |
Типовое значение |
|
Прямое падение напряжения (60 А) |
1,6 В |
|
Время обратного восстановления |
131 нс |
|
Заряд обратного восстановления |
2816 нКл |
|
Энергия восстановления |
821 мкДж |
Области применения
Этот транзистор идеально подходит для:
- Солнечных инверторов (photovoltaic inverters) – высокий КПД на всех уровнях мощности.
- Источников бесперебойного питания (UPS) – быстрая реакция и надёжность.
- Инверторных сварочных аппаратов – высокая частота позволяет уменьшить трансформатор.
- Корректоров коэффициента мощности (PFC) – работа на частотах свыше 100 кГц.
- Высокочастотных преобразователей (VHF converters) – до сотен килогерц.
