Описание, применение GW60V60DF USA / EUROPE
Характеристики
• Максимальная температура перехода: TJ = 175 ° C
• Бесхвостое выключение
• VCE (насыщ.) = 1,85 В (тип.) @ IC = 60 A
• Тесное распределение параметров
• Безопасное параллельное подключение
• Низкое термическое сопротивление
• Антипараллельный диод с очень быстрым плавным восстановлением
Приложения
• Фотоэлектрические инверторы
• Бесперебойный источник питания
• Сварка
• Коррекция коэффициента мощности
• Преобразователи сверхвысокой частоты
Описание
Эти устройства представляют собой IGBT, разработанные с использованием усовершенствованный запатентованный заградитель траншейных ворот. Эти устройства являются частью серии V IGBT, что представляет собой оптимальный
компромисс между проводимостью и переключением, чтобы максимизировать эффективность очень высоких преобразователей частоты. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE (sat) и очень плотное
распределение параметров приводит к более безопасному параллельному подключению операций.
Технические параметры
Технология/семейство траншея и полевой останов
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55...+175
Корпус к-247
Вес, г 7.5
