Описание, применение CM400DY-12H Mitsubishi Electric
Модули Mitsubishi IGBT предназначены для использования в коммутационных устройствах. Каждый модуль состоит из двух IGBT в полумостовой конфигурации, где каждый транзистор имеет обратный диод со сверхбыстрым восстановлением. Все компоненты и межсоединения изолированы от теплоотводящей базовой пластины, что упрощает сборку системы и управление температурным режимом.
Особенности:
Низкая мощность привода
Низкий VCE(sat)
Дискретный сверхбыстрый возврат Диод свободного колеса
Высокочастотная работа
Изолированная базовая плита для легкого
отвода тепла
Абсолютные максимальные значения, Tj = 25 °C, если не указано иное.
Номинальные характеристики Символ CM400DY-12H Единицы
Температура перехода Tj от –40 до 150 °C
Температура хранения Tstg от –40 до 125 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (G-E SHORT) VCES 600 Вольт
Напряжение затвор-эмиттер (C-E SHORT) VGES ±20 Вольт
Ток коллектора (TC = 25°C) IC 400 Ампер
Пиковый ток коллектора ICM 800* Ампер
Ток эмиттера** (TC = 25°C) IE 400 Ампер
Пиковый ток эмиттера** IEM 800* Ампер
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (TC = 25°C, Tj ≤ 150°C) Pc 1500 Вт
Момент затяжки, главная клемма M6 – 1,96 ~ 2,94 Н·м
Момент затяжки, монтаж M6 – 1,96 ~ 2,94 Н·м
Вес – 400 грамм
Напряжение изоляции (главная клемма к базовой плате, переменный ток 1 мин.) Viso 2500 В (среднеквадратичное значение)
*Ширина импульса и частота повторения должны быть такими, чтобы температура перехода устройства (Tj) не превышала номинальную Tj(max).
** Представлены характеристики встречно-параллельного обратного диода эмиттер-коллектор (FWDi).
Статические электрические характеристики, Tj = 25 °C, если не указано иное
Характеристики Символ Условия испытаний Мин. тип. Макс. Единицы
Ток отсечки коллектора ICES VCE = VCES, VGE = 0 В – – 1,0 мА
Ток утечки затвора IGES VGE = VGES, VCE = 0 В – – 0,5 мкА
Пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE(th) IC = 40 мА, VCE = 10 В 4,5 6,0 7,5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC = 400 А, VGE = 15 В – 2,1 2,8** Вольт
IC = 400А, VGE = 15В, Tj
= 150°C – 2,15 – Вольт
Общий заряд затвора QG VCC = 300 В, IC = 400 А, VGE = 15 В – 1200 – нКл
Напряжение эмиттер-коллектор VEC IE = 400 А, VGE = 0 В – – 2,8 Вольт
Динамические электрические характеристики, Tj = 25 °C, если не указано иное
Характеристики Символ Условия испытаний Мин. тип. Макс. Единицы
Входная емкость Cies – – 40 нФ
Выходная емкость Coes VGE = 0В, VCE = 10В – – 14 нФ
Емкость обратной передачи Cres – – 8 нФ
Резистивная задержка включения td(on) – – 350 нс
Время нарастания нагрузки tr VCC = 300 В, IC = 400 А, – – 600 нс
Переключение Время задержки выключения td(off) VGE1 = VGE2 = 15 В, RG = 1,6 Ом – – 350 нс
Раз Время спада tf – – 300 нс
Время обратного восстановления диода trr IE = 400 A, diE/dt = –800 A/мкс – – 110 нс
Заряд обратного восстановления диода Qrr IE = 400 А, diE/dt = –800 А/мкс – 1,08 – мкКл
Тепловые и механические характеристики, Tj = 25 °C, если не указано иное
Характеристики Символ Условия испытаний Мин. тип. Макс. Единицы
Термическое сопротивление, переход к корпусу Rth(j-c) на IGBT – – 0,085 °C/Вт
Термическое сопротивление, переход к корпусу Rth(j-c) по FWDi – – 0,18 °C/Вт
Контактное тепловое сопротивление Rth(c-f) на модуль, нанесенная термопаста – – 0,045 °C/Вт
