Ixys IXTQ36N50P

IXTQ36N50P Транзистор N-MOSFET, 500В, 36А, 540Вт, TO3P, 400нс

ART #648724
В наличии, осталось всего 3 шт. 
Стоимость и наличие уточняйте у менеджера
Цена:
0₽с НДС 20% можно купить за наличный расчет
– +
Ежедневная бесплатная доставка до ТК "Деловые Линии"
Цена актуальна на дату: 01.01.2022г.
Цена более трех месяцев не актуальна, уточняйте у менеджеров
И: 00000029527О: 00000051680
Ixys
IXTQ36N50P Транзистор N-MOSFET, 500В, 36А, 540Вт, TO3P, 400нс

Техническая документация, мануал, PDF

Технические характеристики
Не смогли найти, или требуется подобрать аналог из наличия — пришлите заявку
Прикрепив реквизиты, вы получите счет-договор, который сможете оплатить сразу, что сэкономит ваше время.
Аналоги подбираются исключительно по заявке на электронную почту.

Описание, применение IXTQ36N50P Ixys

Транзистор IXTQ36N50P

Технические характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET, режим обогащения, с рейтингом лавинной стойкости (Avalanche Rated).
  • Серия: PolarHY™ Power MOSFET.
  • Артикул производителя: IXTQ36N50P (корпус TO-3P).
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 500 В.
  • Максимальный ток стока (ID):
    • При 25°C: 36 А (непрерывный), 108 А (импульсный).
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)):
    • 170 мОм (при VGS = 10 В, ID = 0.5).
  • Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0 В.-5.0 В.
  • Температурный диапазон:
    • Рабочая температура: от -55°C до +150°C.
    • Максимальная температура перехода: 150°C.
  • Мощность рассеяния (PD): 540 Вт (при TC = 25°C).
  • Емкости:
    • Ciss: 5500 пФ, Coss: 510 пФ, Crss: 40 пФ.
  • Время переключения:
    • td(on): 25 нс, tr: 27 нс, td(off): 75 нс, tf: 21 нс.
  • Тепловое сопротивление:
    • RthJC: 0.23 °C/Вт.
  • Крепление:
    • Момент затяжки : 1.13 Н·м.

Ключевые преимущества:

  1. Высокая мощность и надежность:
    • Лавинная стойкость (UIS Rated) обеспечивает защиту от перенапряжений.
    • Низкое сопротивление RDS(on) (170 мОм) минимизирует потери мощности.
  2. Быстрое переключение:
    • Минимальные времена включения/выключения (25 нс / 75 нс) повышают эффективность в высокочастотных схемах.
  3. Простота управления:
    • Низкое пороговое напряжение затвора (3.0 В) и умеренная емкость затвора (Qg = 85 нКл) облегчают управление.

Области применения:

  • Силовые преобразователи: ИБП, инверторы, DC-DC преобразователи.
  • Промышленная электроника: Управление двигателями, сварочное оборудование.
  • Автомобильная промышленность: Электроприводы, системы зарядки.
  • Бытовая техника: Источники питания, мощные LED-драйверы.
  • Возобновляемая энергетика: Солнечные инверторы, ветрогенераторы.

 

О производителе Ixys

Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.

Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.

Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.
Просмотров: 326
Посмотреть отзывы о товаре IXTQ36N50P Транзистор N-MOSFET, 500В, 36А, 540Вт, TO3P, 400нс