Описание, применение CM1200E4C-34N
IGBT-модуль Mitsubishi CM1200E4C-34N (1200A / 1700V)
Ключевые преимущества
Огромный коммутируемый ток — 1200 А
Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 1200 А при температуре корпуса 75°C. Импульсный ток (1 импульс) достигает 2400 А.
Высокое напряжение — 1700 В
Класс напряжения коллектор-эмиттер (VCES) — 1700 В (при Tj=25°C). Подходит для силовых цепей постоянного тока с запасами по напряжению.
Четвертое поколение HVIGBT (CSTBT™)
Используется проверенная технология Trench Gate + CSTBT™ (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor) — оптимизация между низким VCE(sat) и высокой надёжностью.
Промышленная ударопрочность
Максимальная длительность короткого замыкания (tpsc) — 10 мкс (при VCC=1200В, VGE=15В, Tj=125°C). Важно для защиты преобразователя.
Высокая изоляция
Напряжение изоляции (корпус–выводы) — 4000 В действующих (50/60 Гц, 1 минута).
Стойкость к тяжёлым условиям
Рабочая температура перехода Tj: –40…+125°C (макс. 150°C для IGBT). Температура хранения: –40…+125°C.
Технические характеристики
|
Параметр |
Значение |
|
Максимальные режимы |
|
|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) |
1700В |
|
Напряжение затвор-эмиттер (VGES) |
±20В |
|
Ток коллектора (Ic) @ Tc=75°C |
1200А |
|
Ток коллектора импульсный (ICMP) |
2400А |
|
Ток эмиттера (IE) — диод |
1200А |
|
Импульсный ток эмиттера (IEM) |
2400А |
|
Рассеиваемая мощность (Pc) @ Tc=25°C |
6500 Вт |
|
Длительность КЗ (tpsc) |
10 мкс |
|
Электрические параметры (типовые @ Tj=25°C) |
|
|
Напряжение насыщения (VCE(sat)), Ic=1200A, Vge=15В |
2,15В |
|
Пороговое напряжение (VGE(th)) |
7,0В |
|
Ток утечки коллектора (ICES) @ Tj=25°C |
<4 мА |
|
Энергия включения (Eon) @ 125°C |
400 мДж (0,40 Дж/имп) |
|
Энергия выключения (Eoff) @ 125°C |
300 мДж (0,30 Дж/имп) |
|
Падение напряжения на диоде (VF) @ 125°C |
2,60В |
|
Входная ёмкость (Cies) @ 10В, 100кГц |
180 нФ (Typ 176 нФ) |
|
Тепловые и механические |
|
|
Термическое сопротивление переход–корпус (Rth(j-c)) IGBT |
0,019 K/Вт (19,0 К/кВт) |
|
Термическое сопротивление переход–корпус, диод (FWD) |
0,042 K/Вт (42,0 К/кВт) |
|
Термическое сопротивление переход–корпус, Clamp-диод |
0,042 K/Вт (42,0 К/кВт) |
|
Момент затяжки (M8 — силовые клеммы) |
7,0…20,0 Н·м |
|
Момент затяжки (M6 — крепление модуля) |
3,0…6,0 Н·м |
|
Внутренняя индуктивмость (LC-E(int)) |
30 нГн |
|
Масса |
0,8 кг |
|
CTI (относительный индекс трекингостойкости) |
≥600 |
|
Воздушный зазор (da) |
19,5 мм |
|
Путь утечки (ds) |
32,0 мм |
Области применения
- Тяговые электроприводы (электровозы, трамваи, троллейбусы, метро)
- Силовые преобразователи для динамического торможения
- DC-чопперы (понижающие/повышающие импульсные преобразователи)
- Системы аварийного торможения с рекуперацией
- Высоковольтные источники бесперебойного питания (ИБП) тягового типа
