IXTQ50N20P MOSFET транзистор, 200В, 50А, 0,06Ом

МОП-транзистор IXTQ50N20P (PolarHT™)

Технические характеристики:

• Тип: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
• Корпус: TO-3P
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 200 В
• Максимальный ток стока (ID):
• 50 А (при TC = 25°C)
• 120 А (импульсный, при TC = 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)):
• 50 мΩ (тип.), 60 мΩ (макс.) при VGS= 10 В
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2.5–5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 360 Вт (при TC = 25°C)
• Температурный диапазон:
• Рабочая температура: -55°C до +175°C
• Максимальная температура пайки: 260°C (10 сек.)
• Емкости:
• Ciss = 2250 пФ, Coss = 500 пФ, Crss = 125 пФ
• Время переключения:
• td(on) = 26 нс, tr = 35 нс
• td(off) = 70 нс, tf = 30 нс
• Тепловое сопротивление:
• RthJC = 0.42 °C/Вт
• RthCS = 0.21 °C/Вт

Ключевые преимущества:

1. Высокая мощность и эффективность:
• Низкое RDS(on) (60 мΩ) минимизирует потери и нагрев.
• Поддержка высоких токов (до 120 А в импульсном режиме).
2. Надежность в экстремальных условиях:
• Рабочий диапазон до +175°C и защита от перегрузок (UIS rated).
• Ударопрочность и виброустойчивость.
3. Быстрое переключение:
• Наносекундные времена включения/выключения (26–70 нс) для высокочастотных применений.

Области применения:

• Промышленная электроника:
• Импульсные источники питания (SMPS), инверторы, драйверы двигателей.
• Автомобильная промышленность:
• Системы управления батареями, DC-DC преобразователи.
• Потребительская техника:
• Высокомощные блоки питания, аудиоусилители.
• Энергетика:
• Солнечные инверторы, системы управления нагрузкой.
• Телекоммуникации:
• Серверные и сетевые устройства с требованием к энергоэффективности.