Описание, применение SKIIP13AC126V1 Semikron
Отличительные особенности:
Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532
Области применения:
Инверторы мощностью до 16 кВА
Двигатели мощностью 7,5 кВт
Примечания:
VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 41 (31) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп 1 мс 50 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В
Tj температура перехода - 40 ... + 150 °C
Обратный диод инвертора
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 30 (22) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп 1 мс 50 A
Tj температура перехода - 40 ... + 150 °C
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 40 A
Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) SKIIP 13AC126V1
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 25 A, Tj = 25 (125) °C 1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C 1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C 28 (44) 36 (52) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 1,8 нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,3 нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,2 нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT 0,9 K/Вт
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 25 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 30 Ом индуктивная нагрузка 95 нс
tr время нарастания 35 нс
td(off) длительность задержки выключения 455 нс
tf время спада 85 нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения 4.1 мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения 3,1 мДж
Обратный диод инвертора
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 25 A; Tj = 25 (125) °C 1,8 (1,8) 2,1 (2,2 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C 1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C 32 (40) 40 (52) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода 1.7 K/Вт
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 25 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1140 A/мкс 25 A
Qrr заряд восстановления 5,3 мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления 2.2 мДж
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C 1000 (1670) Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент 2 2.5 Н · м
m масса 35 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.
