SKT50/12EUNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 50A 1200V, Semicron
Описание, применение SKT 50/12 E UNF диод в корпусе штыревого типа Semikron
Технические характеристики SKT50/12EUNF:
производитель SEMIKRON Тип полупроводникового элемента Тиристор с винтовым соединением Максимальное натяжение спины 1.2kV Прямой ток 50А Прямой ток макс. 78А Ворота тока 150мА Тип упаковки распакованный корпус TO208AC, TO65 Монтажная резьба M8 Ток в макс. пульс 1.05kA монтаж винт Структура полупроводника Анод на винте Вес брутто: 22,517 г Обозначение производителя: SKT 50/12 E
Просмотров: 897
Посмотреть отзывы о товаре
SKT50/12EUNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 50A 1200V, Semicron