SKN320/12UNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 320A 1200V, Semicron
Описание, применение SKN 320/12 UNF диод в корпусе штыревого типа Semikron
Особенности SKN320/12UNF: Обратные напряжения до 1600 В Герметичный металлический корпус со стеклянным изолятором Резьбовая шпилька ISO M24 x 1,5 SKN: анод к стержню
Просмотров: 533
Посмотреть отзывы о товаре
SKN320/12UNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 320A 1200V, Semicron