SKN130/08UNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 130A 800V, Semicron
Описание, применение SKN 130/08 UNF диод в корпусе штыревого типа Semikron
Особенности SKN130/08UNF: Обратные напряжения до 1800 В Герметичный металлический корпус со стеклянным изолятором Резьбовая шпилька ISO M12 (также 1/2 - 20 UNF, 3/8 - 24 UNF и M12 x 1,5) SKR: катод к стержню
Просмотров: 453
Посмотреть отзывы о товаре
SKN130/08UNF Тиристорно-диодные дискреты диод в корпусе штыревого типа 130A 800V, Semicron