Не смогли найти, или требуется подобрать аналог из наличия — пришлите заявку
Прикрепив реквизиты, вы получите счет-договор, который сможете оплатить сразу, что сэкономит ваше время.
Аналоги подбираются исключительно по заявке на электронную почту.
KD221K75

KD221K75 Биполярные транзисторы, изолированный затвор, IGBT, 75 Ампер,1000 Вольт, Darlington Transistor, KD221K75 F9151 Powerex

Технические характеристики KD221K75

Описание, применение KD221K75

KD221K75 Биполярные транзисторы, изолированный затвор, IGBT, 75 Ампер,1000 Вольт, Darlington Transistor, KD221K75 F9151 Powerex

 

Технические характеристики KD221K75 F9151:

Категория устройств:  Darlington Transistor

Вес: 250 гр

Размеры: 107х35х38 мм

Расстояние между контактами: 22 мм

Монтаж: под винты

Номинальное напряжение: 1000 Вольт

Номинальный ток: 75 Ампер при +25C

Диапазон рабочих температур: -50...+150С

 

Биполярные IGBT транзисторы (IGBT модули) с изолированным затвором являются новым типом активного прибора, который появился сравнительно недавно. Его входные характеристики подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные – выходным характеристикам биполярного.

 

В литературе этот прибор называют IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). По быстродействию они значительно превосходят биполярные транзисторы. Чаще всего IGBT-транзисторы используют в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А.

 

IGBT-транзисторы (IGBT модули) вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT-транзисторы (IGBT модули) используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер. В какой-то степени это является следствием того, что во включенном состоянии при токах в сотни ампер падение напряжения на транзисторе находится в пределах 1,5 - 3,5В.

 

Несмотря на недостатки одностороннего охлаждения, силовые IGBT модули поддерживают свое влияние в высокомощной электронике, хотя существуют дисковые IGBT с диодами, способные рассеять на 30 % тепла больше благодаря двустороннему охлаждению. Это главным образом благодаря «интеграции», необходимой изоляции кристалла от теплоотвода, различными комбинациями компонентов в модуле и низкой ценой благодаря серийному производству, за исключение их простого монтажа.

 

Сегодня IGBT модули производятся на прямые напряжения 6.5 кВ, 4.5 кВ, 3.3 кВ и 2.2 кВ, например 3.3 кВ/2.4 кА. Преобразователи  частоты на IGBT транзисторах (IGBT модулях) (многоуровневое переключение и IGBT в последовательном соединении) мегаваттные, для более чем 6 кВ источников напряжения могут быть изготовлены уже сейчас.

 

За исключением устройств малой мощности, для которых однокристальное решение очень важно, IGBT модули (IGBT транзисторы) будут являться основными составляющими компонентами в будущем

Просмотров: 443