Описание, применение KD221K75
KD221K75 Биполярные транзисторы, изолированный затвор, IGBT, 75 Ампер,1000 Вольт, Darlington Transistor, KD221K75 F9151 Powerex
Технические характеристики KD221K75 F9151:
Категория устройств: Darlington Transistor
Вес: 250 гр
Размеры: 107х35х38 мм
Расстояние между контактами: 22 мм
Монтаж: под винты
Номинальное напряжение: 1000 Вольт
Номинальный ток: 75 Ампер при +25C
Диапазон рабочих температур: -50...+150С
Биполярные IGBT транзисторы (IGBT модули) с изолированным затвором являются новым типом активного прибора, который появился сравнительно недавно. Его входные характеристики подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные – выходным характеристикам биполярного.
В литературе этот прибор называют IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). По быстродействию они значительно превосходят биполярные транзисторы. Чаще всего IGBT-транзисторы используют в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А.
IGBT-транзисторы (IGBT модули) вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT-транзисторы (IGBT модули) используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер. В какой-то степени это является следствием того, что во включенном состоянии при токах в сотни ампер падение напряжения на транзисторе находится в пределах 1,5 - 3,5В.
Несмотря на недостатки одностороннего охлаждения, силовые IGBT модули поддерживают свое влияние в высокомощной электронике, хотя существуют дисковые IGBT с диодами, способные рассеять на 30 % тепла больше благодаря двустороннему охлаждению. Это главным образом благодаря «интеграции», необходимой изоляции кристалла от теплоотвода, различными комбинациями компонентов в модуле и низкой ценой благодаря серийному производству, за исключение их простого монтажа.
Сегодня IGBT модули производятся на прямые напряжения 6.5 кВ, 4.5 кВ, 3.3 кВ и 2.2 кВ, например 3.3 кВ/2.4 кА. Преобразователи частоты на IGBT транзисторах (IGBT модулях) (многоуровневое переключение и IGBT в последовательном соединении) мегаваттные, для более чем 6 кВ источников напряжения могут быть изготовлены уже сейчас.
За исключением устройств малой мощности, для которых однокристальное решение очень важно, IGBT модули (IGBT транзисторы) будут являться основными составляющими компонентами в будущем
