Ixys MCC225-20io1

MCC225-20io1 Тиристорный модуль, 2000В, 221А, IXYS

ART #558855

В наличии

Стоимость и наличие уточняйте у менеджера

Цена:

52 551₽с НДС можно купить за наличный расчет

35 994₽без НДС*
купить с выгодой 15%

– +

Ежедневная бесплатная доставка до ТК "Деловые Линии"

Цена актуальна на дату: 12.01.2023г.
Цена более трех месяцев не актуальна, уточняйте у менеджеров

MCC225-20io1 Тиристорный модуль, 2000В, 221А, IXYS

Не смогли найти, или требуется подобрать аналог из наличия — пришлите заявку

Я согласен на обработку персональных данных

Прикрепив реквизиты, вы получите счет-договор, который сможете оплатить сразу, что сэкономит ваше время.

Аналоги подбираются исключительно по заявке на электронную почту.

Технические характеристики MCC225-20io1 Ixys

Описание, применение MCC225-20io1 Ixys

MCC225-20io1 Тиристорный модуль, 2000В, 221А, IXYS

Технические характеристики MCC225-20IO1:

Корпус: тиристорный модуль,тиристор+тиристор

Размеры: 95х35х31 мм

Монтажные отверстия: 80х38 мм

Полупроводниковый управляемый выпрямитель, кремниевый управляемый выпрямитель: два (2),управляющие тиристоры,схемы управления тиристорами,регулятор мощности на тиристоре,тиристор технические характеристики

Напряжение в закрытом состоянии: 2000 Вольт

Номинальный ток в открытом состоянии: 2210 Ампер

Максимально допустимый ток в открытом состоянии: 400 Ампер

Максимальный отпирающий ток: 150 мАмпер

Максимальный ток удержания: 200 мАмпер

Ток перегрузки: 5.3 кАмпер

Охлаждение полупроводников

О производителе Ixys

Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.

Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.

Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.