.jpg)
Техническая документация, мануал, PDF
Описание, применение VVZ 40-12io1 Ixys
Трёхфазный полууправляемый диодный мост VVZ40-12io1
Основные технические характеристики
Электрические параметры
✔ Напряжение:
- Повторяющееся обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Максимальное импульсное напряжение (VRSM): 1300 В
✔ Токовые характеристики:
- Средний выходной ток: 45 А (при TC=100°C)
- Импульсный ток (ITSM): 320 А (10 мс, 50 Гц)/ 345 А (8,3 мс, 60 Гц)
✔ Тепловые параметры:
- Тепловое сопротивление: 1 K/W (к корпусу), 0.6 K/W (к радиатору)
- Рабочая температура: -40°C до +100°C
Изоляционное напряжение 3600 В
Динамические характеристики:
- Критическая скорость нарастания тока: 150 А/мкс
- Критическая скорость нарастания напряжения: 1000 В/мкс
Уникальные преимущества
Инновационная конструкция:
- Керамическая подложка DCB для улучшенного теплоотвода
- Планарные пассивированные чипы с низким падением напряжения (1.07 В при 15 А/1.52 В при 45 А)
Удобство интеграции:
- Компактный корпус V1-B-Pack (высота 10 мм)
- Пайка выводов для монтажа на PCB
Области применения
- Линейное выпрямление 50/60 Гц
- Промышленные приводы и электродвигатели
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Импульсные источники питания (SMPS)

О производителе Ixys
Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.
Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.
Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.