показать
.jpg "VGO36-16io7 Управляемый однофазный диодный мост, 1600В, 36А")
Описание, применение VGO 36-16io7 Ixys
VGO36-16io7 Управляемый однофазный диодный мост 36А, 1600В
Особенности
Пакет с керамической плитой DCB
Напряжение изоляции 3000 Вольт переменного тока
Плоские пассивированные чипы
Низкое падение напряжения в прямом направлении
Приводы, подходящие для пайки на печатной плате
Приложения
Принадлежности для силового оборудования постоянного тока
Входные выпрямители для инвертора PWM
Источники питания постоянного тока
Питание на местах для двигателей постоянного тока
Преимущества
Простой монтаж с помощью двух винтов
Экономия пространства и веса
Улучшена возможность циклирования температуры и мощности
Малый и легкий вес
Технические характеристики VGO36-16io7
IdAV TH = 85 ° C, модуль 36 A
IdAVM Модуль 40 A
IFRMS, ITRMS за ногу 31 A
IFSM, ITSM TVJ = 45 ° C; T = 10 мс (50 Гц), синус 320 А
VR = 0 В t = 8,3 мс (60 Гц), синус 350 А
TVJ = TVJM t = 10 мс (50 Гц), синус 280 А
VR = 0 В t = 8,3 мс (60 Гц), синус 310 A
I2t TVJ = 45 ° C t = 10 мс (50 Гц), синус 500 А2
SVR = 0 В t = 8,3 мс (60 Гц), синус 520 А2
STVJ = TVJM t = 10 мс (50 Гц), синус 390 А2
SVR = 0 В t = 8,3 мс (60 Гц), синус 400 А2
S (di / dt) cr TVJ = 125 ° C, IT = 50 A 150 A / μs
F = 50 Гц, tP = 200 мкс
VD = 2/3 VDRM
IG = 0,3 А, не повторяющийся, IT = 1/2 • IdAV 500 А / мкс
DiG / dt = 0,3 А / мкс
(Dv / dt) cr TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM 1000 В / мкс
RGK = ∞; Метод 1 (линейное увеличение напряжения)
VRGM 10 V
PGM TVJ = TVJM t
P = 30 мкс ≤ 10 Вт
IT = ITAVM t
P = 500 мкс ≤ 5 Вт
Tp = 10 мс ≤ 1 Вт
PGAVM 0,5 Вт
TVJ -40 ... + 125 ° C
TVJM 125 ° C
Tstg -40 ... + 125 ° C
VISOL 50/60 Гц, RMS t = 1 мин 2500 В ~
IISOL ≤ 1 мА t = 1 с 3000 В ~
Md Монтажный момент (M4) 1,5 - 2 Нм
14 - 18 фунтов.
Вес. 18 г
IR, ID VR = VRRM; VD = VDRM TVJ = TVJM ≤ 5 мА
TVJ = 25 ° C ≤ 0,3 мА
VT, VF I
T, IF = 45 A; TVJ = 25 ° C ≤ 1,45 В
VT0 Только для расчета потерь мощности (TVJ = 125 ° C) 0,85 В
RT 13 мОм
VGT VD = 6 В; TVJ = 25 ° C ≤ 1,0 В
TVJ = -40 ° C ≤ 1,2 В
IGT VD = 6 В; TVJ = 25 ° C ≤ 65 мА
TVJ = -40 ° C ≤ 80 мА
TVJ = 125 ° C ≤ 50 мА
VGD TVJ = TVJM; VD = 2/3 VDRM ≤ 0,2 В
IGD TVJ = TVJM; VD = 2/3 VDRM ≤ 5 мА
IL IG = 0,3 А; TG = 30 мкс; TVJ = 25 ° C ≤ 150 мА
DiG / dt = 0,3 А / мкс; TVJ = -40 ° C ≤ 200 мА
TVJ = 125 ° C ≤ 100 мА
IH TVJ = 25 ° C; VD = 6 В; RGK = ∞ ≤ 100 мА
Tgd TVJ = 25 ° C; VD = 1/2 VDRM ≤ 2 мкс
IG = 0,3 А; DiG / dt = 0,3 А / мкс
Tq TVJ = 125 ° C, IT = 15 A, tP = 300 мкс, VR = 100 В тип. 150 мкс
Di / dt = -10 A / μs, dv / dt = 20 В / мкс, VD = 2/3 VDRM
RthJC на тиристор (диод); Постоянный ток 1,4 К / Вт
На модуль 0,35 К / Вт
RthJK на тиристор (диод); Ток постоянного тока 2,0 К / Вт
На модуль 0,5 К / Вт
DS Расстояние утечки на поверхности 12,6 мм
DA Расстояние утечки в воздухе 6,3 мм
Макс. Допустимое ускорение 50 м / с2
Просмотров: 1686