.jpg)
Техническая документация, мануал, PDF
Описание, применение DSEI 2x30-12B Ixys
Выпрямительный диод DSEI2x30-12B – высокоэффективное решение для импульсных систем
Основные технические характеристики:
- Тип: быстрый эпитаксиальный диод (FRED)
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Максимальное неповторяющееся обратное напряжение (VRSM):1200 В
- Средний прямой ток (IFAV): 2×30 А (при Tc=50°C)
- Импульсный прямой ток (IFSM): 200 А
- Прямое падение напряжения (VF):
- 2.54 В (30 А, 25°C), 2.90 В (60 А)
- 2.18 В (30 А, 150°C), 2.72 В ( 60А)
- Время обратного восстановления (trr): 160 нс (TVJ=25°C)/ 320 нс (TVJ=100°C)
- Тепловое сопротивление (RthJC): 1.2 К/Вт (max)
- Рабочая температура: -40°C до +125°C
Конструктивные особенности:
- Корпус miniBLOC (SOT-227B)
- Планарные пассивированные чипы
- Изоляционное напряжение: 3000 В~ (1 сек)
- Момент затяжки: 1.1…1.5 Нм
- Вес: 30 г
Области применения:
- Антипараллельные диоды для ВЧ ключевых устройств
- Демпферные и обратные диоды
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Системы бесперебойного питания (UPS)
- Преобразователи частоты и управления двигателями
- Ультразвуковые установки и системы индукционного нагрева

О производителе Ixys
Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.
Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.
Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.