Ixys IXDN 55N120D1

IXDN55N120D1 IXDN Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 55 A 1200V

ART #561368
В наличии 
Стоимость и наличие уточняйте у менеджера
Цена:
5 229₽с НДС можно купить за наличный расчет
– +
Ежедневная бесплатная доставка до ТК "Деловые Линии"
Цена актуальна на дату: 12.01.2023г.
Цена более трех месяцев не актуальна, уточняйте у менеджеров
И: 00000012603О: 00000036626
Ixys
IXDN55N120D1 IXDN Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 55 A 1200V
Не смогли найти, или требуется подобрать аналог из наличия — пришлите заявку
Прикрепив реквизиты, вы получите счет-договор, который сможете оплатить сразу, что сэкономит ваше время.
Аналоги подбираются исключительно по заявке на электронную почту.

Описание, применение IXDN 55N120D1 Ixys

Канал - тип: N
Количество контактов: 4
Конфигурация транзистора: Single
Максимальная рассеиваемая мощность: 450 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
Максимальное напряжение эмиттера: ±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора: 100 A
Переключение скоростей: 1МГц
Рабочая температура - максимальная: +150 °C
Рабочая температура - минимальная: -40 °C
Размеры: 38.2 x 25.07 x 9.6мм
Тип монтажа: Поверхностное крепление
Тип упаковки: SOT-227B

О производителе Ixys

Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.

Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.

Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.
Просмотров: 929
Посмотреть отзывы о товаре IXDN55N120D1 IXDN Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 55 A 1200V