.jpg)
Техническая документация, мануал, PDF
Описание, применение IXDH 30N120D1 Ixys
IGBT-транзистор IXDH30N120D1 с ультрабыстрым диодом
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 60 А (при Tc = 25°C), 38 А (при Tc = 90°C)
- Импульсный ток (ICM): 76 А (при Tc = 90°C, длительность импульса 1 мс)
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 2.4 В (типовое)
- Короткое замыкание (SCSOA): 10 мкс (при VGE = ±15 В, Tj = 125°C)
- Тепловое сопротивление (RthJC): 0.42 К/Вт
- Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C
- Корпус: TO-247 AD (IXDH)
Применение:
- Управление скоростью двигателей переменного тока.
- Серво- и роботизированные приводы постоянного тока.
- Импульсные и резонансные источники питания.
- Системы бесперебойного питания (UPS).
- DC-преобразователи (чопперы).

О производителе Ixys
Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.
Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.
Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.