Ixys IXDH 30N120D1

IXDH30N120D1 IGBT транзистор, 1200В, 60А, 2,4В

ART #561371
В наличии 
Стоимость и наличие уточняйте у менеджера
Ежедневная бесплатная доставка до ТК "Деловые Линии"
Цена актуальна на дату: 12.01.2023г.
Цена более трех месяцев не актуальна, уточняйте у менеджеров
И: 00000028025О: 00000000000
Загрузка
Ixys
IXDH30N120D1 IGBT транзистор, 1200В, 60А, 2,4В

Техническая документация, мануал, PDF

Не смогли найти, или требуется подобрать аналог из наличия — пришлите заявку
Прикрепив реквизиты, вы получите счет-договор, который сможете оплатить сразу, что сэкономит ваше время.
Аналоги подбираются исключительно по заявке на электронную почту.

Описание, применение IXDH 30N120D1 Ixys

IGBT-транзистор IXDH30N120D1 с ультрабыстрым диодом

Основные характеристики:

  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Ток коллектора (IC): 60 А (при Tc = 25°C), 38 А (при Tc = 90°C)
  • Импульсный ток (ICM): 76 А (при Tc = 90°C, длительность импульса 1 мс)
  • Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 2.4 В (типовое)
  • Короткое замыкание (SCSOA): 10 мкс (при VGE = ±15 В, Tj = 125°C)
  • Тепловое сопротивление (RthJC): 0.42 К/Вт
  • Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C
  • Корпус: TO-247 AD (IXDH)

Применение:

  • Управление скоростью двигателей переменного тока.
  • Серво- и роботизированные приводы постоянного тока.
  • Импульсные и резонансные источники питания.
  • Системы бесперебойного питания (UPS).
  • DC-преобразователи (чопперы).
Загрузка

О производителе Ixys

Корпорация IXYS является одним из крупнейших мировых производителей и разработчиков силовых полупроводниковых приборов, предназначенных для эффективного преобразования энергии.

Продукция IXYS успешно используется в таких областях, как телекоммуникация, производство промышленной и медицинской аппаратуры, энергетика и транспорт.
Корпорация IXYS ведёт непрерывную разработку новых технологий в собственном научно-исследовательском центре, а также приобретает сторонние разработки.

Основными линиями поставки IXYS являются силовые полупроводниковые приборы:
— MOSFET-транзисторы
— MOSFET-модули
— IGBT-транзисторы
— IGBT-модули
— диоды и диодные модули
— тиристоры и тиристорные модули
— мощные низкочастотные модули
— опто-электронные приборы
— драйверы
— защитные BreakOver диоды
— солнечные элементы.

Просмотров: 1877
Посмотреть отзывы о товаре IXDH30N120D1 IGBT транзистор, 1200В, 60А, 2,4В