Описание, применение IXA 60IF1200NA Ixys
IGBT-модуль IXA60IF1200NA с ультрабыстрым диодом
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 88 А (при TC= 25°C), 56 А (при TC= 80°C)
- Импульсный ток (ICM): 150 А (в режиме RBSOA)
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 1.8–2.1 В (при IC = 50 А, Tj = 25°C)
- Короткое замыкание (SCSOA): 10 мкс (при VCE = 900 В, Tj = 125°C)
- Общий заряд затвора (Qg): 190 нКл (типовое)
- Тепловое сопротивление (RthJC): 0.43 К/Вт (IGBT), 0.6 К/Вт (диод)
- Диапазон рабочих температур (Top): от -40°C до +125°C
- Корпус: SOT-227B (Minibloc), изолированное основание (3000 В)
Особенности и преимущества:
- Технология XPT (Xtreme light Punch Through):
- Высокая устойчивость к перегрузкам и короткому замыканию (до 200 А в SCSOA).
- Низкие коммутационные потери и малое время переключения (ton = 70 нс, toff = 250 нс).
- Встроенный диод SONIC™:
- Мягкое и быстрое восстановление (trr = 350 нс, Qrr = 8 мкКл).
- Низкое прямое напряжение (VF= 1.95 В при Tj = 125°C).
- Простота интеграции:
- Положительный температурный коэффициент VCE(sat) для параллельного включения.
- Два эмиттерных вывода (основной и Kelvin) .
- Надежность и экологичность:
- Изоляция основания 3000 В (DCB-технология).
Применение:
- Преобразователи для солнечных электростанций.
- Системы управления двигателями (AC/DC).
- Медицинское оборудование и ИБП.
- Индукционный нагрев и сварочные аппараты.
- Промышленные вентиляторы и насосы.
Просмотров: 1377